Recuit thermique rapide

Le procédé de recuit rapide est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température dans un temps particulièrement court, quelques secondes.



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Industrie - Semi-conducteur - Matériau

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  • ... Un procédé de fabrication de tels semi-conducteurs est connu de la demande..... La solution est maintenue à une température entre 0 et 70 C, .... Le recuit thermique rapide est typiquement effectué pendant des durées... (source : europatentbox)
  • ... Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de recuit thermique rapide est suivie d'une oxydation... (source : sumobrain)

Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1200 °C ou plus) dans un temps particulièrement court, quelques secondes. Les wafers doivent être redescendus en température assez lentement, sinon ils se brisent à cause du choc thermique. De telles montées en température sont obtenues par des lampes à haute intensité ou par chauffage laser. Ces procédés sont utilisés dans une large variété d'applications dans la fabrication de semi-conducteurs incluant l'activation des dopants, l'oxydation thermique, la mise en forme de métaux et le dépôt par voie chimique.

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